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厂商型号

MRF7S18170HR3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-880 T/R

内部编号

146-MRF7S18170HR3

#1

数量:25
1+¥1197.8193
25+¥1112.2167
100+¥1066.5261
500+¥1024.4568
1000+¥973.2185
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MRF7S18170HR3产品详细规格

规格书 MRF7S18170HR3 datasheet 规格书
MRF7S18170HR3 datasheet 规格书
文档 RF Devices 28/Jun/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011
标准包装 250
晶体管类型 LDMOS
频率 1.81GHz
增益 17.5dB
电压 - 测试 28V
额定电流 10µA
噪声系数 -
电流 - 测试 1.4A
Power - 输出功率 50W
电压 - 额定 65V
包/盒 NI-880
供应商器件封装 NI-880
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3NI-880
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 65 V
最大门源电压 -6|10 V
工作温度 -65 to 225 °C
安装 Screw
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 NI-880
标准包装名称 NI-880
最大频率 1880
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 225
输出功率 50
Typical Drain Efficiency 31
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
典型功率增益 17.5
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -65
最大漏源电压 65
引脚数 3
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 65V
供应商设备封装 NI-880
电压 - 测试 28V
频率 1.81GHz
增益 17.5dB
封装/外壳 NI-880
电流 - 测试 1.4A
额定电流 10µA
功率 - 输出 50W
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工作温度范围 -65C to 225C
包装类型 NI-880
元件数 1
操作模式 1-Carrier W-CDMA
筛选等级 Military
弧度硬化 No
驻波比(Max ) 5
频率(最大) 1880 MHz
频率(最小值) 1805 MHz
输出电容(典型值) @ VDS 703@28V pF
功率增益(典型值) @ VDS 17.5 dB
漏极效率(典型值) 31 %
反向电容(典型值) 0.87@28V pF
输出功率(最大) 50W
漏源电压(最大值) 65 V

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